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　　集微网报道 （文/陈炳欣）1月25日，英特尔公司宣布与联华电子达成新的晶圆代工合作协议，两家公司将合作开发12纳米工艺平台。新的12纳米工艺将在英特尔位于亚利桑那州的晶圆厂Ocotillo Technology Fabrication开发和制造，预计将于2027年开始生产。

　　英特尔此举显然是旨在强化其成熟工艺的晶圆代工能力。晶圆代工方面，英特尔当前的主要力量当然是要放在先进工艺技术之上，并且提出了雄心勃勃的“4年5个节点”推进计划。然而，Foundry行业毕竟与IDM不同，传统工艺市场同样庞大，不可能放弃。因此，一个多月之前，业界就有传闻，英特尔希望获得联电的12nm工艺授权。

　　业界分析，英特尔此次主要是看好联电在低功耗工艺上的优势，以争取智能手机、平板、可穿戴等面向移动设备应用的成熟工艺市场。而在去年上半年，英特尔就曾宣布与ARM展开合作，以确保采用ARM架构的手机芯片及其他芯片产品可以在英特尔的工厂中进行生产。此次与联电达成合作，应是这一策略的延伸。双方共同开发12nm低功耗工艺平台，可以增强英特尔代工在这一领域的竞争力。毕竟，移动芯片市场规模庞大，且又以ARM架构和低功耗诉求为主导。英特尔应是对此垂涎已久。

　　除了意图争夺移动芯片市场，英特尔此举还有强化美国本地化生产的意图。英特尔的产能布局一直体现出全球化与本土化相结合的原则，除了在爱尔兰、德国、波兰、以色列和马来西亚有布点之外，其也在美国的俄勒冈州、亚利桑那州、新墨西哥州及俄亥俄州设立或规划制造生产基地。此次与联电合作的新工艺就规划在亚利桑那州晶圆厂进行开发和制造。出于稳定供应链考量，当前的半导体行业越来越体现出本土化生产的趋势。英特尔此举将会吸引更多美国本土的IC设计企业投片。

　　此次合作对联电来说也有不小的现实意义。2023年全球成熟工艺产能基本处于供过于求的状态。对以成熟工艺市场为主的联电来说，营运压力是比较大的。日前公布的财报显示，2023年全年联电营收降至2225亿元新台币（约合人民币510亿元），较2022年同比下滑20.15%。与英特尔合作，不仅可以减轻联电开发12纳米工艺平台的压力，双方优势互补，同时也能提升其在潜在市场中的知名度，争取更多用户。

　　况且，目前的联电也在加强全球化布局，近日就有消息称，联电在新加坡的22nm新厂将于2024年中完工，预计2025年初量产。针对本次合作，摩根士丹利证券指出，现在英特尔已是联电28纳米客户，此次达成合作后，未来下单联电12纳米机会相当高。联电共同总经理王石也表示，利用双方的互补优势，可扩大潜在市场，同时大幅加快技术发展时程。

　　如果说英特尔与联电携手利好双方的话，对于同处北美市场的格芯来说，就不是什么好消息了。格芯同属成熟工艺代工大厂，且总部同样位于北美，料想今后将会面临更大的竞争压力。当前的晶圆代工成熟工艺市场竞争十分激烈。近日已经传出产能利用率面临六成保卫战的消息，成熟工艺厂商为了保证产能利用率，大幅砍低第一季度报价，降幅高达15%至20%。这相当于前两年缺芯潮中的涨幅已经回吐了大约四至五成。

　　格芯作为全球第三大晶圆代工厂，以成熟工艺为主，无法如台积电、三星一般，以先进工艺平衡成熟工艺营收。在报价和市场下行之际，公司经营压力必然较大。格芯2023年第三季度财报显示，营收同比下滑11%，至18.5亿美元，净利润为2.49亿美元，低于2022年同期的3.37亿美元。

　　近年来，格芯虽然也开启了全球化的布局策略，比如去年格芯便投资40亿美元扩建新加坡的晶圆厂，近日格芯和Amkor合作的葡萄牙大型封测厂也正式落成。但是，北美毕竟是格芯的基本盘。此次英特尔与联电携手，相信格芯被迫要打一场“本土保卫战”了。

　　集微网消息，国家最高科学技术奖是我国科技界的最高荣誉。随着2023年国家科技奖提名公示工作的陆续开展，本年度最高科学技术奖的候选人名单逐渐清晰。

　　候选人名单：葛昌纯，北京科技大学；何继善，中南大学；李德仁，武汉大学；潘垣，华中科技大学；安芷生，中国科学院地球环境所；刘旭，中国农业科学院；贲德，中国电子科技集团公司第十四研究所；汪品先，同济大学；薛其坤，清华大学；毛二可，北京理工大学；陈立泉，中国科学院物理研究所；欧阳自远，中国科学院地球化学研究所；尹泽勇，中国航空发动机集团有限公司。

　　葛昌纯，北京科技大学。中国科学技术协会提名北京科技大学的葛昌纯院士入选国家最高科学技术奖。葛昌纯院士，1934年3月6日生于上海，原籍浙江省平湖市，党员，中国科学院院士，粉末冶金和先进陶瓷专家，北京科技大学材料科学与工程学院教授。

　　李德仁，武汉大学。湖北省拟提名武汉大学的李德仁院士入选国家最高科学技术奖。李德仁，男，生于1939年12月。中国科学院院士，中国工程院院士，国际欧亚科学院院士，国际宇航学院通讯院士，国际摄影测量与遥感学会荣誉会员，武汉大学教授、博士生导师。

　　贲德，中国电子科技集团公司第十四研究所。江苏省拟提名贲德院士入选国家最高科学技术奖。贲德，男，满族，1938年4月4日出生于吉林省长春市九台区，雷达专家，中国工程院院士，南京航空航天大学电子信息工程学院院长，14所科学技术协会主席，科技委副主任。

　　薛其坤，清华大学。国家知识产权局拟提名清华大学的薛其坤院士当选国家最高科学技术奖。薛其坤，男，汉族，1962年12月生，山东蒙阴人，1984年9月参加工作，党员，理学博士，教授，中国科学院院士。主要研究方向为扫描隧道显微学、分子束外延、拓扑绝缘量子态和高温超导电性等。曾获国家自然科学一等奖1项，获国家自然科学二等奖2项，获第三世界科学院物理奖、陈嘉庚科学奖、国家特支计划杰出人才、求是杰出科学家奖、何梁何利科学与技术成就奖、未来科学大奖－物质科学奖、（首届）全国创新争先奖章、菲列兹·伦敦纪念奖、北京市突出贡献中关村奖和复旦-中植科学奖等奖励与荣誉。2005年11月当选为中国科学院院士；2017年起任北京量子信息科学研究院院长。

　　毛二可，北京理工大学。毛二可，雷达系统、信号处理技术专家，中国工程院院士，内蒙古自治区赤峰市人。北京理工大学教授。他在雷达系统及杂波抑制信号处理和雷达跟踪的信号处理方面取得重大的研究成果，提高了中国雷达动目标显示、检测性能及跟踪的精度和速度，对中国雷达技术的发展做出了重要贡献，是中国雷达信号处理领域的奠基人和开创者。

　　陈立泉，中国科学院物理研究所。中国科学院拟提名陈立泉院士入选国家最高科学技术奖。陈立泉，1940年3月29日出生于四川省南充市，固体离子学和能源材料专家，中国工程院院士，中国科学院物理研究所研究员，北京星恒电源股份有限公司技术总监、博士生导师。陈立泉于1964年从中国科学技术大学物理系毕业，进入中国科学院物理研究所工作；1976年至1978年在西德马克斯·普朗克科学促进学会固体所进修；1980年在中国科学院物理研究所成立了中国第一个固体离子学实验室；1987年担任“863”计划“七五”储能材料（聚合物锂电池）项目总负责人；1999年牵头成立了北京星恒电源有限公司；2001年当选为中国工程院院士。陈立泉率先在中国国内研制出锂离子电池，实现了锂离子电池的产业化，首次发现70K超导迹象，研制出液氮温区超导体并首次公布了材料成分。

　　国家最高科学技术奖于2000年由中华人民共和国国务院设立，是我国科技界的最高荣誉奖项，授予在当代科学技术前沿取得重大突破或者在科学技术发展中有卓越建树、在科学技术创新、科学技术成果转化和高技术产业化中创造巨大经济效益或者社会效益的科学技术工作者。

　　近两年，智能手机用的摄像头数量成倍增加，使得CIS芯片的市场需求量大涨，CIS的传感器也逐渐向高像素、大尺寸、多层叠放的方向发展。

　　2020年全球图像传感器（CIS）出货量约为76.8亿颗，同比增长21%，几乎是为地球上每个人都生产了一个。直到2019年，手机摄像头是CIS市场的主要增长的贡献者，但2020年情况不同了，计算、汽车和安防市场领域的增长速度已经超过了手机。

　　而在未来，CIS在工业控制和航空航天等高端领域的应用将逐渐普及，成为二者不可或缺的组成部分。2022年CMOS图像传感器的市场份额为192.8亿美元，预计到2030年将达到387.8亿美元。

　　自1993年发明以来，当今市场上可用的CMOS图像传感器已经经过了几代的发展。传统的CIS是前照式的，由于这种布置影响了前照式传感器的性能，索尼公司提出将光电二极管移动到滤色器旁边的架构顶部，发明了背照式（BI）CMOS图像传感器，它极大地提高了传感器的性能，从而标志着CMOS图像传感器新时代的开始。

　　继背照式传感器之后，索尼公司于2012年发明堆叠背照CMOS图像传感器，以减小传感器在X和Y方向上的尺寸。

　　上图显示了传统BI-CIS的三维视图（左），和传感器的像素和逻辑电路共享同一基板和堆叠传感器（右）。

　　当前国内CIS产业蓬勃发展，奋起直追国外技术，由于起步较晚，当前国内以背照式图像传感器为主，国外头部公司以堆叠背照CMOS传感器为主。

　　因高端CIS芯片工艺的复杂性，尤其是传感器和逻辑电路的共封，对封装材料的电性能、散热 、可靠性、稳定性提出了很高的要求，陶瓷基板作为多层、高电性能、高稳定性、高散热的代表，在CIS芯片的封测领域大有可为。

　　我们自主研发可满足CIS封装使用的陶瓷基板，拥有从原材料到工艺的全流程能力，可以大大降低客户的陶封成本，满足定制化的需求。

　　我们根据CIS客户的芯片设计进行基板设计和生产。再交由我们的优质CIS陶封合作伙伴进行先进封装，提供给客户完备的CIS芯片封装方案。

　　我们有自动化设备生产的高度定制化的CIS探针卡，由于自主掌握探针和基板的材料体系，我们将大大降低CIS客户的CP测试成本；配以测试程序调试，工程调试wafer map等服务，同时由于多site的设计，进一步提高CIS客户的测试效率。我们提供满足CIS芯片设计的一站式无忧CP测试方案。

　　集微网消息，近日，浙江诺亚氟化工有限公司（以下简称“浙江诺亚”）宣布完成新一轮战略融资，由恩泽基金领投，老股东梧桐树资本、华睿投资再次跟投。

　　浙江诺亚成立于2015年，是一家专注于含氟电子化学品的研发、制造和销售的企业，已形成了四大产品系列，包括高效环保灭火剂、浸没液冷氟化液、电子清洗剂和含氟锂电材料。这些产品广泛应用于HPC中心、数据中心、半导体和显示面板、新能源和储能等产业领域。浙江诺亚是一家国家级高新技术企业和国家级专精特新“小巨人”企业。

　　从浙江诺亚融资历史来看，2022年1月获A轮融资，投资方包括阿里巴巴；2023年4月获A+轮融资，投资方包括华睿投资、万向集团、梧桐树资本；2024年1月获B轮融资，投资方包括恩泽基金、梧桐树资本、华睿投资。

　　据悉，亚电科技是集成电路晶圆行业高端装备服务商，专注于晶圆前道湿法刻蚀清洗技术，是国内首批推进半导体高端设备国产化的企业之一，在无锡和海外均设有研发基地，拥有授权知识产权超百件。

　　弘晖基金消息显示，亚电科技的主要产品包括8英寸、12英寸槽式湿法刻蚀清洗设备和单片湿法刻蚀清洗设备，主要应用在半导体、光伏等领域。目前，亚电科技清洗设备已经在国内头部晶圆厂、光伏客户处持续批量出货，产品技术达到国内领先水平。

　　随着以独立式域控为标志的新一代汽车电子电气架构的兴起，行泊一体方案作为智驾域控的整体解决方案，不仅能够将行车和泊车智驾功能集中到一个独立式域控上面，而且以其灵活精简的电子架构、更好的用户体验和更低的整体成本优势，能够满足车企在不同平台上多种车型的复杂化需求，越来越得到市场的认可和消费者的青睐。

　　作为独立行泊一体域控的核心器件-智驾芯片的选择越来越重要。从2020年开始，很多智驾系统供应商开始行泊一体的开发，2022年逐步进入到量产阶段。但是早期落地的方案并没有做到真正的行泊一体，行车算法与泊车算法运行在2颗芯片上，同时还需要一颗独立的MCU芯片完成规控算法和实现系统功能安全(ISO26262)等级要求。但随后，迫于成本压力，智能驾驶方案开始向智驾SoC演进，出现了单颗域控芯片+MCU的行泊一体方案。但该方案由于芯片的摄像头接入能力和算力的限制，行车和泊车的算法只能够分时复用，整体功能和用户体验均受到了很大的影响。

　　经过对市场充分的调研与理解，为旌御行VS919系列芯片从设计之初，就瞄准了单芯片行泊一体的智驾场景并进行了正向开发。芯片设计讲究均衡性，不能存在明显短板，不仅要考虑CPU算力、NPU算力、DDR速率、摄像头接入能力和ISP处理等能力，同时还要考虑泊车360°环视功能所需的GPU，高效支持传统计算机视觉算法的DSP，芯片在全功能下的功耗，以及支持量产开发的工具链和开发环境。对于复杂程度最高的智驾芯片来说，上述每一个点存在缺陷都可能成为芯片实际运行中的“阿喀琉斯之踵”。

　　为旌科技于2023年12月21日正式发布为旌御行VS919系列芯片，在设计的均衡性上交出了满意的答卷，以高计算效率、高集成度、高安全性、低功耗和低延时为Tier1供应商和主机厂提供了国产自主驾驶芯片的“最优解”。

　　目前行泊一体方案当中受限于某些智驾芯片算力和摄像头的接入能力，行车和泊车的算法很多场景下是分时复用的。例如泊车场景下，当正在运行泊车算法时，前视的感知识别算法无法使用，进而导致自动紧急制动等功能被屏蔽，这势必会带来潜在的安全风险。图片

　　而为旌御行VS919，将芯片的计算能力完全开放，凭借高计算效率与强大的传感器接入能力，支持行车、泊车算法同时运行，全时复用，实现真正的单芯片行泊一体方案。例如：

　　在行车场景中，可以通过环视摄像头的感知能力和BEV视角下的目标物识别，检测后方来车以提升夹塞以及自主变换车道等场景下的行车安全和用户体验。

　　在泊车场景下，可以通过前视以及环视摄像头的联合感知能力，实现记忆式泊车功能场景下的视觉定位和建图。

　　另一方面，单芯片行泊一体方案，功耗控制势必会成为一大挑战。国内新能源销量接近1千万辆，市占率超过三成。对于新能源汽车而言，域控的功耗成为一个非常重要的指标。对于业界普遍采用的大算力双芯片方案而言，整体域控功耗在200W以上，那么运行五小时的耗电量最低为1kWh，这对于新能源车的行驶里程以及运行成本都会产生明显影响。

　　面对高功耗带来的散热问题，当前使用较多的水冷解决方案会增加整车的安装成本，并且在某些极端情况下会造成漏液。而另一种风冷解决方案，在当前整车追求“图书馆”般静谧座舱体验的前提下，风扇本身就会造成一定的背景噪音，且风扇由于自身的积尘会造成冷却效率下降和噪音增加，无形中提高了智驾系统在车辆售后维护的难度。

　　而为旌御行VS919系列芯片通过内置图像压缩模块、近存设计等先进架构设计以及多级低功耗管理，可实现芯片满负荷工况下的超低功耗。芯片设计功耗控制在10W以下，高稳定应用，无需风冷、水冷等外围散热装置，整体域控可采用自然散热，简约的方案设计更符合车规级场景，带来整体方案性价比的提升。

　　为旌御行系列芯片，内置为旌全自研图像处理器—为旌瑶光ISP以及为旌AI处理器—为旌天权NPU。通过优秀的图像处理能力和强大的AI处理能力，赋能L2+智能驾驶方案落地。

　　VS919提供4路MIPI-CSI 4Lane RX接口，最高提供16路2M摄像头接入能力。芯片集成了为旌科技最新一代ISP图像处理模块为旌瑶光ISP，可支持的图像处理能力。内部支持HDR、多级降噪及锐化、强光抑制、畸变校正、对比度增强等图像增强算法, 在低光照、高动态、恶劣天气状况下仍可获得专业级的图像质量，为智能驾驶感知及电子后视镜应用场景保驾护航。此外，芯片支持H.264/H.265视频编解码，编码性能最高支持，解码性能最高支持。在实际应用场景中，VS919的ISP可以在0.1Lux极暗的环境下复现出道路、障碍物等周边物体及环境，获得接近、甚至好于人眼的感知效果，已经获得了生态合作伙伴及客户的一致认可。

　　为旌自研的天权NPU不仅可以有效支持传统卷积神经网络CNN算法，且针对目前业界最新的BEV+Transformer算法频繁进行矩阵运算的特点，在每个NPU内核里设计了向量运算单元，优化相应算子提高计算效率，更好的支持Transformer的应用。为进一步提升计算效率，为旌天权NPU采用先进的近存计算技术，实现片上存储的大带宽、多并行访问，支持不同定点和浮点混合精度的运算场景，也支持对于YUV/RGB/RAW等多种图像格式的计算处理，配合为旌自研工具链，为提升开发效率打好基础。目前通过对合作伙伴前向感知算法的实测性能来看，所有网络均能支持30fps的帧率，部分网络甚至可以支持超过3000fps的帧率，并且还有继续优化的空间，在计算效率上远优于竞品。

　　为旌科技一直致力于为客户提供，好用、易用、耐用的智能驾驶芯片。未来，为旌御行VS919系列芯片将凭借硬核科技与生态合作伙伴一起，共同助力智驾行泊一体方案的快速落地。

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